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单晶的少子寿命与原生多晶硅检测出来的少子寿命有什么关系?

窝头131 2012-12-05
原生多晶硅检测少子寿命用的是脉冲激发来测试少子寿命的!
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oz9jo6
um(微米)是长度单位,是指少子的扩散长度;少子寿命的单位是us(微秒)
少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的,一个是指能“跑多远”,一个是指能“活多久”,表述不同而已
少子寿命是越大越好,就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了,如果太低(如小于1us)将严重影响电池效率。现在太阳能企业要求越来越高,多晶要求大于2,单晶要求大于10。
处于热平衡状态下的半导体,在一定温度下,载流子的浓度是一定的,称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件,称为非平衡状态。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子, 对于n型半导体材料,多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子。对p型半导体材料则相反, 产生非平衡载流子的外界作用撤除以后,它们要逐渐衰减以致消失,Z后载流子浓度恢复到平衡时的值, 非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命。
一、单晶硅少子寿命测试仪产品介绍:
1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。
2、 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。
3、 配备专用软件的数字示波器,液晶屏上直接显示少子寿命值,同时显示动态光电导衰退波形,并可联用打印机及计算机。
4、 配置两种波长的红外光源:
a、红外光源,光穿透硅晶体深度较深≥500μm,有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。
b、短波长红外脉冲激光器,光穿透硅晶体深度较浅≈30μm,但光强较强,有利于测量低阻太阳能级硅晶体。

二、单晶硅少子寿命测试仪测量范围可直接测量:
a、研磨或切割面:电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。
b、抛光面:电阻率在0.3~0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。
寿命可测范围 0.25μS—10ms
16 0 2012-12-06 0条评论 回复
君_猎艳
两者是独立的,没有直接关系。单晶因为里面缺陷少,少子寿命长些,多晶因为晶界等多种缺陷,少子寿命低些。
12 0 2012-12-20 0条评论 回复
儿麦粒
很简单的回答:单晶是利用原生多晶拉制出来的产品,若原生多晶少子寿命不高那么拉制出的单晶也不会高多少,主要是因为单晶拉制过程中原料受到很多污染影响(比如金属离子导入等),所以单晶少子寿命是小于原生多晶少子寿命,所以原生多晶少子是很重要的一个参数,若你的客户要求很高的寿命,但你买的原生多晶料寿命低,你怎么改善都很难,除非多晶在提纯!
1 0 2012-12-08 0条评论 回复
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