非晶硅和多晶硅太阳能电池板对光谱的响应范围

非晶硅
采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜，氢在其中补偿悬挂链，并进行掺杂和制作pn结。非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。禁带宽度1.7～1.8eV，而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。

这个是不能实现的吧，目前所有的硅基太阳能电池都是吸收可见光范围内光线的。
紫外线如果能吸收也是在电池PN结N结的Z表面，而越靠表面，电子浓度越大，一般刚产生电子空穴对，空穴马上就会和电子再结合，所以基本不能被收集而产生电流的，这个是所谓的dead layer。而且对于太阳能电池来说紫外线的反射率也是相当高的（30%以上）。

sunnyzhao81说的只是Z大对光谱的Z佳响应频率，具体的我也忘了。
你可以自己查一查的

晶体硅 400~1000 Z佳 800~900
非晶硅 350~750 Z佳450

晶体硅太阳能电池光谱响应区域为:800-900nM

非晶硅太阳能电池光谱响应区域为500-600nM