用户论文：衬底温度对反应磁控溅射制备AIN压电薄膜的影响

全文请访问：


采用反应磁控溅射法在Si（111）衬底上沉积了AlN 薄膜XRD 分析表明，在5 种温度下，AlN 均以（100）面取向，衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善，在600以上时AlN 中AlN0 键断裂，仅出现（100）衍射峰AFM 分析显示，在600时平均晶粒尺寸90 nm，Z 轴Z高突起仅为23 nm

全文请访问： 扫描探针显微镜(SPM/AFM/STM)