石英晶体微天平原理
2021-02-196252引言
未施加电压的石英晶体
在晶体表面施加交变电压(几乎所有案例中都为正弦波)会引起晶体振荡。当晶体的厚度(tq)是声波长的两倍时,会产生驻波,此时施加电压频率的倒数是驻波的周期。该频率称为共振频率f0,由下式可得:
(1)
其中,μq是切变模量(剪切应力与剪切应变之比),ρq是密度,tq是晶体厚度。在共振频率,振荡过程中能量损失量小。每个循环峰能量存储与能量损失之比,被称为质量因子Q,由下式定义:
(2)
其中fc是ZX频率,fFWHM是半高全宽。半高全宽也叫带宽。石英晶体在空气中时,Q能够超100,000,而在溶液中时Q降为约3000。这是因为晶体受到了溶液的阻尼作用。该阻尼作用增加了每个循环能量的损失量,降低了Q,如图2所示。
图2 高Q(实线)和低Q(虚线)的比较
等效电路模型
电声系统的力学模型(图3)包含一个质量(M)、一个塑性(Cm)和一个电阻(rf)。塑性代表振荡过程中的能量存储,电阻代表振荡过程中的能量耗散。
图3 石英晶体微天平等效力学模型
QCM力学模型可以由多种不同方式电学建模。简单的模型是RLC电路,如图4所示。
图4 RLC电路
其中,R1代表振荡过程中的能量耗散,C1代表能量存储,Li代表与位移质量相关的惯性成分。在共振频率fs,电路的阻抗值小,数值大小与R1相同,如图5所示。
图5 串联RLC电路阻抗谱
实现石英晶体电接触简单的方法是在晶体每个面上加上电极。这些电极在RLC电路基础上引入了一个额外的电容(C0),与串联电路并联,如图6所示。该电路通常称为Butterworth van Dyke (BvD)模型。
图6 Butterworth van Dyke等效电路模型
上述电路有两个共振频率:fs和fp。分别代表串联共振频率(跟原始RLC电路中一样)和并联共振频率。下图显示的是BvD模型的阻抗谱,小值在fs处,大值在fp处。
图7 Butterworth van Dyke等效电路模型对应阻抗谱
(3)
其中,f0是晶体的基频,如方程(1)中定义的,m是增加的质量,n是谐波数(如5 MHz晶体在5 MHz驱动时n=1),μq和ρq也跟方程(1)里定义的一样。方程(3)可以简化为:
(4)
图8 石英晶体浸于液体中的等效电路模型
三个新元件分别说明膜质量负载Lf和液体负载(基于LL和RL)。新的质量负载Lf和LL都对频率减小有影响, 如图9中的黑色箭头所示。原始的BvD模型(黑线)共振频率约为300 kHz,高于修改后的BvD模型(红线)。需要注意的是,尽管增加了膜和液体负载,共振曲线的形状不变。
图9 BvD和修正BvD模型比较
知道液体粘度和密度,就可以采用方程(5)计算晶体浸于液体时频率的降低值。
(5)
图10 石英晶体涂敷聚合物膜且浸于液体中的一种可能等效电路模型
加入了两组特征元件:膜负载(ηfρf)和弹性(μf)。基于膜粘度(ηf)、密度(ρf)和弹性(μf),粘弹性聚合物将影响共振频率。如果聚合物为刚性或ηfρf在实验过程中无变化,则峰形状不会变,ηfρf的贡献可忽略。当ηfρf变化,峰的频率、数值和形状也会变化,如图11所示。
图11 BvD和粘性聚合物修正BvD模型比较
另一种查看ηfρf是否变化的方法是查看简化质量因子QR随时间的变化。
(6)
QR的变化对应ηfρf的变化。量化ηfρf的变化在数学上具有挑战性,此处不再深入讨论。有兴趣的读者可以查阅文献5。
参考文献
1.Hillman, A. R. The EQCM: electrogravimetry with a light touch, J. Solid State Electrochem., 15, 2011, 1647-1660.
2.Buttry, D. A. The Quartz Cystal Microbalance as an In Situ Tool for Electrochemistry, in Electrochemical Interfaces. Modern Techniques for In-Situ Interface Characterization, H. D. Abruña, Ed., VCH Publishers, Inc., New York, 1991, 531-66. Hillman, A. R. The Electrochemical Quartz Crystal Microbalance. In Instrumentation and Electroanalytical Chemistry; Bard, A. J., Stratmann, M., Unwin, P. R., Eds.; Encyclopedia of Electrochemistry; Wiley: New York, 2003; Vol. 3, 230-289.
3.Glassford, A. P. M. J. Vac. Sci. Technol. 1978, 15, 1836. Kanazawa, K. K.; Gordon II, J. Anal. Chem. 1985, 57, 1770. Kanazawa, K. K.; Gordon II, J. Analytica Chimica Acta 1985, 175, 99-105.
4.Sauerbrey, G. Z. Phys. 1959, 155, 206.
5.Muramatsu, H.; Tamiya, E.; Karube, I. Anal. Chem. 1988, 60, 2142-2146. Hillman, A. R.; Jackson, A.; Martin, S. J. Anal. Chem. 2001, 73, 540-549. Martin; Hillman; Etchnique
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