H=(TcVd十TC)/1000n H与T前加三角，T=12.7度，化学问题，

H=(TcVd十TC)/1000n H与T前加三角，T=12.7度，化学问题，
采用热化学气相沉积〈TCVD〉法裂解酞菩铁〈FePc〉和乙烯〈CzH4〉制备出高 210 忡m 的取向碳纳米管 阵列〈ACNTA〉′ 用扫描电子显微镜〈SEM〉， 透射电子显微镜〈TEM〉， 拉曼光谱和X射线光电子能谱〈XPS〉 对制备的样品进行了表征， 系统研究了反应温度， 反应时间， CzH4 流量对 ACNTA 生长的影响 结果表明， 样品具有高取向性且纯度高 800 宅是裂解 FePc 和 CzH4 制备ACNTA 的Z优温度， 催化剂的活性可以保持 较长时间〈60 min〉， 通入 CzH4促进了 ACNTA 的快速生长， Z适合流量为50 cm.../min.