电沉积为什么能够生成氧化物薄膜

化学浴沉积是在宽禁带半导体上直接生长量子点的一种沉积方法，是比较慢的化学反应过程，在CBD沉积中Na2S2O3通常被用来作为硫的供体，有时候也用硫脲来慢慢释放S2-。
较之其他的制备方法，CBD方法从性能价格比上来说具有明显的优势，是应用Z广泛的生长方法，具有可控性好、均匀性好、成本低等特点。
而且不同的衬底和不同的溶液都可以来制备无机半导体敏化薄膜，而且用化学浴沉积方法制备的薄膜晶粒更紧密，表面更光滑。