直流溅射法

磁控溅射仪为一种用于物理学领域的分析仪器，于2015年05月25日启用。

磁控溅射为物理气相沉积的一种。金属、半导体、绝缘体等多材料的制备通常会采用一般的溅射法，其的特点为有着较为简单的设备，控制起来不困难，有着较大的镀膜面积以及有着较强的附着力等。在上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是使高速、低温、低损伤得以实现。由于高速溅射是在低气压下进行，必须要使气体的离化率得到有效地提高。磁控溅射利用将磁场往靶阴极表面引入，通过磁场约束带电粒子来使得等离子体密度提高进而使得溅射率增加。

直流溅射法

靶材可以往与其紧密接触的阴极传递在离子轰击过程中得到的正电荷为直流溅射法的基本要求，因此此方法仅可以对导体材料进行溅射，而对绝缘材料不适用。由于对绝缘靶材进行轰击时，表面的离子电荷不能够中和，此将会升高靶面电位，外加电压几乎均往靶上加，就会减少两极间的离子加速与电离的机会，甚至于不可以电离，造成连续放电不可以甚至于停止放电，停止溅射。所以对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材必须采用射频溅射法。

复杂的散射过程和多种能量传递过程包含于溅射过程中：入射粒子和靶材原子发生弹性碰撞，靶材原子会吸收入射粒子的一部分动能。某些靶材原子的动能会比其周围存在的其它原子所形成的势垒要高，从而从晶格点阵中被碰撞出来，使得离位原子产生。这些离位原子进一步依次反复碰撞附近的原子，使得碰撞级联产生。当这种碰撞级联到达靶材表面时，若靠近靶材表面的原子的动能比表面结合能要大，那么这些原子就会脱离靶材表面，进而往真空进入。