离子束刻蚀系统主要功能

离子束刻蚀系统为一种在物理学、工程与技术科学基础学科、电子与通信技术领域得到应用的工艺试验仪器，其启用于2005年10月1日。

离子束刻蚀系统概念

离子束刻蚀也能够被叫做离子铣，是指当定向高能离子撞击固体靶时，能量由入射离子往固体表面原子上转移，若固体表面原子间结合能比入射离子能量低时，固体表面原子就会由表面上被除掉或者被移开。一般来说，惰性气体为离子束刻蚀所用的离子的来源。

10纳米为离子束zui小直径，离子束刻蚀的结构zui小可能不会比10纳米低。聚焦离子束刻蚀的束斑能够达到低于100纳米，zui少能够达到10纳米，使zui小线宽12纳米的加工结果获得。与电子与固体相互作用相比较，在固体中离子具有较小的散射效应，并且低于50纳米的刻蚀可以通过较快的直写速度来进行，所以纳米加工的一种理想方法为聚焦离子束刻蚀。

除此以外在计算机控制下的无掩膜注入，甚至无显影刻蚀，对各种纳米器件结构的直接制造为焦离子束技术的另一优点。然而，在离子束加工过程中，有着较为突出的损伤问题，并且对于控制离子束加工精度比较困难，也没有足够高的控制精度。

离子束刻蚀系统主要功能

SiO2、Si、SiN、Mo、MoSi、Ta、TaSi、HfO2、光刻胶和多种金属等均能够进行刻蚀，也就是在玻璃或石英等基片上对衍射光学元件进行刻蚀，微细加工的一种重要手段就是离子束刻蚀。