离子束刻蚀系统原理

离子束刻蚀系统为一种在物理学、工程与技术科学基础学科、电子与通信技术领域得到应用的工艺试验仪器，其启用于2005年10月1日。

离子束刻蚀系统原理：

氩气在辉光放电原理的作用下被分解为氩离子，氩离子通过阳极电场的加速物理轰击样品表面来使得刻蚀的作用达到。往离子源放电室充入氩气并且使其电离使得等离子体形成，然后通过栅极引出离子呈束状并且加速，往工作室进入一定能量的离子束，往固体表面射向对固体表面原子进行轰击，使材料原子发生溅射，使刻蚀目的达到，属于纯物理刻蚀。

离子束刻蚀系统技术指标：

各种金属以及氧化物等复杂体系的刻蚀等为离子束刻蚀系统的主要应用，在物理，生物，化学，材料，电子等领域得到了非常广泛的应用。

装片：一片6英寸，向下兼容任意规格样品

极限真空：8.5e-5 帕（ 45分钟从 atm 抽至 5e-4 帕 ）

基底冷却温度：5-25摄氏度

样品台旋转：自转 9 rpm， 倾斜 0 - 90度

离子能量：100 - 650 电子伏特

束流密度：0.2 - 0.7 毫安/平方厘米

刻蚀均匀性：±5% （ 4英寸 ）

离子束刻蚀系统主要用途：

物理刻蚀的方式为离子束刻蚀系统所采用，任何材料各向异性的刻蚀经过电场加速的离子束能够实现，并且能够按照倾角不同对侧壁形貌进行调整与使被溅射材料的再沉积污染减少

离子束刻蚀系统特点

1、金属和化合物,无机物和有机物,绝缘体和半导体都可以，刻蚀材料对其没有限制。

2、刻蚀过程中能够通过对离子束入射角的改变来对图形轮廓进行控制。

3、有好的方向性，各向异性，有着非常高的陡直度。

4、有着较高的分辨率，能够达到0.01微米。