晶圆清洗机主要结构特点及工艺流程

2022-08-182657

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一．产品结构

晶圆清洗机主要结构特点：

1、采用三套独立的电脑控制机械臂自动化作业

2、采用第三代技术，全面完善的防酸防腐措施，保护到机器每一个角落

3、全自动补液技术

4、*的硅片干燥前处理技术，保证硅片干燥不留任何水痕

5、成熟的硅片干燥工艺，多种先进技术集于一身

6、彩色大屏幕人机界面操作，方便参数设置多工艺方式转换

二．产品特点

晶圆清洗机具有以下特点：

1、械手或多机械手组合，实现工位工艺要求。

2、PLC全程序控制与触摸屏操作界面，操作便利。

3、自动上下料台，准确上卸工件。

4、净化烘干槽，*的烘干前处理技术，工作干燥无水渍。

5、全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。

6、具备抛动清洗功能，保证清洗均匀。

7、全封闭清洗均匀。

8、全封闭外壳与抽风系统，确保良好工作环境。

三、晶圆清洗机工艺流程

自动上料→去离子水+超声波清洗+振动筛抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→碱液+超声波清洗+抛动→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→去离子水+超声波清洗+抛动+溢流→自动下料

四、晶圆清洗机应用范围

1、炉前清洗：扩散前清洗。

2、光刻后清洗：除去光刻胶。

3、氧化前自动清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。

4、抛光后自动清洗：除去切、磨、抛的沾污。

5、外延前清洗：除去埋层扩散后的SiO2及表面污物。

6、合金前、表面钝化前清洗：除去铝布线后，表面杂质及光胶残渣。

7、离子注入后的清洗：除去光刻胶，SiO2层。

8、扩散预淀积后清洗：除去预淀积时的BSG和PSG。

9、CVD后清洗：除去CVD过程中的颗粒。

10、附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物