等离子化学气相沉积系统——介绍视频

等离子体化学气相沉积该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，各方面控制真空系统，适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、等离子体化学气相沉积、 SiONx a-Si薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料。