● 可安装用于光发射分析和热分析的两个超高灵敏度相机
● 可安装最多3个波长的激光器和一个EOP探头光源
● 高灵敏度微距镜头和最多10个适合每个探测器灵敏度波长的镜头
● 激光扫描系统
● 高灵敏度近红外相机进行光发射分析
● 高灵敏度中红外相机进行热分析
● 红外-光致阻值改变(IR-OBIRCH)分析
● 激光辐射动态分析
● EO侦测分析
● 纳米透镜进行高分辨率、高灵敏度分析
● 连接到CAD导航
● 连接到LSI测试仪
叠加显示/对比度增强功能
iPHEMOS-DD将发光图像叠加到高分辨率模板图像上来快速定位缺陷点。对比度增强功能可使图像更清晰,细节更多。
显示功能
线性电压 | AC 200 V (50 Hz/60 Hz) |
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功耗 | Approx. 1400 VA (Max. 3300 VA) |
真空 | Approx. 80 kPa or more |
气压 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
尺寸/重量 | Main unit: 1980 mm (W)×1270 mm (D)×834 mm (H), Approx. 1700 kg Control rack: 880 mm (W)×700 mm (D)×1842 mm (H), Approx. 300 kg Optional desk: 1400 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 60 kg |
* iPHEMOS-MP主体机台包括探针台和其他相连接的装置。
Failure Analysis Systems Option: Emmi-X camera C8520-45 series (Near-infrared photo emission camera) [644 KB/PDF]
Failure Analysis Systems Option: InSbHS camera C9985-05 [668 KB/PDF]
Failure Analysis Systems Option: Thermal NanoLens [351 KB/PDF]
Failure Analysis Systems Option: NanoLens-SHR [635 KB/PDF]
C10506-04-16Failure Analysis Systems Option: Electro Optical Probing Unit [406 KB/PDF]
倒置发射显微镜是一款背面分析系统,用于侦测和识别半导体器件上的光发射和热发射。
样品可以轻松地安装到探针卡上面实施点针,信号从器件背面侦测。平台下方可以选配多款不同种类的探测器和激光,使之完成多种探测方式。例如光发射和热发射分析,近红外-光束诱导电阻阻值变化分析,和一些其他的分析方式完成动态分析,满足客户需求。
Iphemos-DD
将样品直接连接到测试机上,再把测试机架装到设备上方能够有效减少线缆长度,这使得高频驱动样品的分析成为可能,这种直接架装方式可用于点针侦测12英寸晶片,也可用来侦测封装好的样品。
滨松光子学商贸(中国)有限公司
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