泰思肯贸易(上海)有限公司
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FIB-SEM双束电镜应用之Xe等离子快速切割技术

2021-05-242167
行业应用: 电子/电气/通讯/半导体 半导体
参考标准:

文件大小:578.63KB

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方案优势
方案优势
Xe等离子FIB能够实现微纳米,甚至毫米级的快速加工。Xe等离子FIB的zui大束流为2μA,另外Xe离子的原子量更大,对纯Si的溅射效率比Ga离子约高30%。虽然Xe离子的溅射效率高,但是由于Xe离子的直径较大,Xe等离子束加工样品时产生的注入效应和损伤要比Ga离子束小。


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