FIB-SEM双束电镜应用之Xe等离子快速切割技术

文档简介Xe 等离子 FIB 能够实现微纳米，甚至毫米级的快速加工。Xe 等离子 FIB 的ZD束流为 2μA，
另外 Xe 离子的原子量更大，对纯 Si 的溅射效率比 Ga 离子约高 30%。虽然 Xe 离子的溅射效率高，但是由于 Xe 离子的直径较大，Xe 等离子束加工样品时产生的注入效应和损伤要比 Ga 离子
束小。