hakuto 离子刻蚀机 20IBE 刻蚀滤波器钽酸锂晶片

2021-09-01171

安徽某晶体厂商采用 hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 刻蚀滤波器钽酸锂晶片, 采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题, 使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数:

Φ4 inch X 12片	基片尺寸	Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片
	均匀性	±5%
	硅片刻蚀率	20 nm/min
	样品台	直接冷却,水冷
	离子源	Φ20cm 考夫曼离子源

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

离子源型号	RFICP 220
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	10-40 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
中和器	LFN 2000

晶体滤波器的用途越来越广泛, 尤其在通信机和雷达设备中, 都需要高频率、大带宽的晶体滤波器. 目前,晶体滤波器使用的主要材料是石英晶体, 由于其具有高品质因数(Q)值、良好的温度稳定性和时间稳定性, 在精度要求很高的窄带滤波器中具有很大的优越性.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
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