美国 KRI 霍尔离子源 eH 400

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

尺寸: 直径= 3.7“  高= 3”

放电电压 / 电流: 50-300eV 

操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

伯东 KRI 霍尔离子源 eH 400 特性：

1.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极

2.宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率

3.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统

4.高xiao的等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:

1.离子辅助镀膜 IAD

2.预清洁 Load lock preclean

3.In-situ preclean

4.Low-energy etching

5.III-V Semiconductors

6.Polymer Substrates

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