薄膜晶体管为什么要用半导体材料

Z先制得晶形硅的是Z先制出纯铝的法国化学家亨利得维尔。1854年，得维尔用强电池组电解石英砂和冰晶石的熔融物，在阴极上得到一种灰色性脆的粒状金属（硅铝合金)。当这种金属颗粒冷却后，析出了一种有金属光泽的片状晶体。通过实验可知，这种片状晶体的化学性质与硅粉的性质完全相同，因而确信此片状晶体就是晶体硅。 硅是比锗更经得起当今器件工艺发展考验的半导体材料。在1966年已经生产40000千克半导体级硅(单晶超纯硅，杂质含量小于1／109)，从而制造出40亿个元件。到1966年，用于这方面的硅已超过锗的用量。 由硅晶体管和其他元件组成的集成电路，集成度越来越高，规模越来越大，而元件则愈做愈小。一个直径为75毫米的硅片，可集成几万至几十万甚至几百万个元件，形成了微电子学，从而出现了微型计算机、微处理机等。 在铝衬底上，生长—层10—25微米厚的多晶硅薄膜，就是一种便宜而轻巧的太阳能电池材料，适于在太空和地面上使用。 硅是同位素电池中换能器的主要材料。换能器是将同位素热源发出的热能转变为电能的装置。硅-锗合金做的换能器，其工作温度可达1000oC，机械性能和抗氧化性能很好，高温下不易蒸发和中毒，无论在真空还是空气中都能工作。 航天飞...