风流量200L/min 温度120 要混合?度 风流量100L/min 才能到150度

靶材 制备条件 薄膜性质 论文出处 纯度为99.99%的金属Zn靶，银掺杂通过在该金属锌靶上镶嵌细的银丝(纯度99. 99% )来实现 基片为高阻Si (100) ，溅射采用氧气和氩气体积比为1∶1的混合气(总压强3 Pa) ，基片温度300 ℃，溅射功率20 W，生长时间45 min。Z后所得样品都在900 ℃氧气氛围中退火1 h。 电阻率约为0. 1Ω·cm，空穴迁移率约36 cm2 /Vs，空穴浓度约1.7 ×1018 cm-3。在低温下观测到了与Ag有关的施主-受主对发射， 计算得受主离化能约110meV 发光学报，2008年4月 用掺入1% K2O Zn陶瓷靶（纯度均为99.99%） 衬底为Si (111)，真空6 ×10-4 Pa ，通入高纯氩气 (99.99 %) 和氧气(99.995 %) ，工作压力为3-5 Pa. 衬底温度和氧分压分别保持在25～500°C 和10%～40%，溅射时间60 min，溅射功率为150 W左右. 当衬底温度在500 ℃、氧分压为30 %时，生长的薄膜呈现出相对较好的结晶质量和电性能. 空穴浓度Z高达5.45×1017/ cm3 ，迁移率1.96 cm2 / (V ·s) ，电阻率为5.91Ω ·cm 西安电子科技大学学，2008年2月 以掺有Al 的Zn 片为靶材，Al 和Zn 的纯度均为99.99 % ，靶材中Al 的含量分别为0 ，0.05 ，0.15 ，0.35和1.50wt % 直流反应磁控溅射技术，以玻璃和(100) Si 片为衬底，沉底温度500℃，真空度抽至10- 3 Pa， N2O气体氛围，压强为5Pa，500 ℃， 溅射功率54W(180V ×0．3A) ，生长30min 载流子浓度达到2.52 ×1017 cm- 3 ，电阻率为 57．3Ω·cm. 共掺ZnO 薄膜还具有很好的结 晶性能和光学特性 半导体学报，2005年4月 采用直流P射频双靶共溅射法制备ZnO :Al 膜，靶材选用ZnO 陶瓷靶( 纯度99.99 %) 和Al 靶( 纯度为99.999 %) ZnO 靶采用功率为100 W，Al 靶采用功率为2 W 直流射频磁控溅射，衬底采用石英玻璃，以氩气为溅射气氛，本底真空度为5 ×10 - 4 Pa ， 工作气压为0.5 Pa. 溅射时间为3 h， Al 的含量约为0.25 %atom.将制备好的薄膜通过管式热处理炉进行NH3 气氛处理，NH3 流量为0.5 cm3/s ，热处理温度分别为600 ，700和800 ℃， 当热处理温度700 ℃时，薄膜具有良好的c 轴择优取向，具有良好的表面质量，晶粒尺寸约为40 —60 nm ，薄膜的导电类型由n 型转变为p 型，电阻率为25.014Ω·cm ，载流子浓度约为8.346 ×1018 cm- 3 ，迁移率为0.0152 cm2/Vs. 物理学报，2008年2月 纯度为99.99 %的ZnO 陶瓷靶. 单晶Si (110) 衬底， 溅射环境为氩气， 压强为2 Pa，时间80 min， 采用多功能离子注入机，对ZnO 薄膜进行N离子注入，注入能量为70keV ，剂量为1016 cm-2.对样品进行快速退火处理，温度控制在500，650，800和950 ℃， 时间分别为1， 3 ， 7 和15 min. 退火15 min 时，样品实现了较好的p 型转变，空穴浓度为6.25 ×1014cm-3 ，电阻率为139Ω·cm 物理学报，2007年10月 高纯锌(99.999%) 靶与衬底之间的距离为60mm. 衬底采用玻璃片，衬底温度为200℃.射频源频率为13.56 MHz ，输入功率为50 W. 工作气体为氮气和氩气.本底真空度为10-4Pa ， 反应前，先用氩等离子体清洗靶材上的污染物，流量为20cm3/min ，气压为1.2Pa.30min后，通入氮气(20 cm3/min)，真空度2 Pa ，溅射时间为30 min. 在Zn3N2薄膜前驱体制备完成后，将本底真空度抽到10-4Pa ，通入高纯氧气对前驱体进行氧化得到ZnO薄膜.氧化温度分别控制在450 ，500 ，550 ℃，真空室的真空度保持在200 Pa. 氧化时间根据实验要求改变. 氧化温度为500 ℃时，氧化时间2 h 可以得到电阻率为0.7Ωcm ，空穴载流子浓度为1017 cm-3的p型ZnO 薄膜. 其在紫外可见光范围内的透过率为85%左右. 在387nm处存在显著的紫外发光峰，而位于520 nm 附近的绿色发光很弱. 物理学报，2007年8月 Inx Zn1 - x( x = 0. 8%，原子分数) 本底真空10-3Pa，工作气体为Ar， N2O， O2，总气压为7Pa，N2O ：(N2O + O2 ) 为0. 73.溅射时间30min，溅射电流电压分别为200mA，200V，生长温度550 ℃ 薄膜电阻率35. 6 Ω ·cm，迁移率为 0. 11 cm2 ·V- 1 · s- 1 ， 载流子浓度为1. 57 ×1018 cm- 3 Journal of Luminesc- ence，2008年6月 99.99% 纯ZnO 溅射气体为99.999% N2， 衬底温度为510K. 本底真空4×10-4Pa，工作气体压强0.3Pa，溅射功率100W ，2 h，然后在10-4Pa的O2气氛中退火1h，退火温度为860K 电阻率为 456Ωcm， 载流子浓度1.2×1017 cm-3 ，迁移率0.1 cm2/Vs Journal of Luminesc- ence，2006年7月 在纯ZnO靶材上镶嵌Ag（约0.1%溅射面积） 工作气体氧气：氩气为1：2，总气压为2.6Pa，溅射功率为250W，在氧气条件下通过不同条件进行退火。 在600℃条件下退火得到的薄膜电阻率为152Ωcm，载流子浓度为2.24 × 1016 cm−3 迁移率为1.83 cm2/Vs. Solid State Communi- cations，2007年12月 Mg0.1Al0.01Zn0.89合金靶材 采用直流磁控溅射，本底真空10-3Pa，工作气体氩气：氧气：氨气为1：1：1，总气压为5Pa，溅射时间30min，功率36W（180V，0.2A），衬底温度450℃ Zn0.9Mg0.1O薄膜电阻率为26Ωcm，载流子浓度3.4×1018cm-3 Applied Surface Science ，2006年6月