找仪器
企业性质生产商
入驻年限第9年
C11665-01 微米膜厚测量仪
C11665-01型光学微米测厚仪是一款非接触薄膜测厚仪器，它将光源、探测器和数据分析模块集成到一个箱体里，实现了紧凑型设计。在半导体行业，TSV技术的广泛应用使得基底测厚成为至关重要的方面，与此同时半导体薄膜工业正将连接层制作的越来越薄。这些领域的进步需要1 μm到300 μm范围内高准确度的膜厚测量。C11665-01可对多种类型的材料（硅基底，薄膜等等）进行测厚，测量范围为0.5 μm 到 700 μm，这也是半导体和薄膜制造领域经常使用应用的厚度。欢迎您登陆滨松ZG全新中文网站http://www.hamamatsu.com.cn/查看该产品更多详细信息！
特性
无参照物工作
尺寸紧凑，节省空间
高速、高准确度
不整平薄膜精确测量
分析光学常数（n,k）
可外部控制
参数
| 型号 | C11665-01 |
| 可测膜厚范围（玻璃） | 0.5 μm to 700 μm*1 |
| 可测膜厚范围（硅） | 0.5 μm to 300 μm*2 |
| 测量可重复性（硅） | 0.1 nm*3 *4 |
| 测量准确度（硅） | ±1 %*4 *5 |
| 光源 | LED |
| 测量波长 | 940 nm to 1000 nm |
| 光斑尺寸 | Approx. φ1 mm*4 |
| 工作距离 | 5 mm*4 |
| 可测层数 | 最大10层 |
| 分析 | FFT 分析，拟合分析，光学常数分析 |
| 测量时间 | 19 ms/点*6 |
| 光纤接口形状 | FC |
| 外部控制功能 | RS-232C / Ethernet |
| 电源 | AC100 V to 240 V, 50 Hz/60 Hz |
| 功耗 | 85W |
*1：SiO2薄膜测量特性
*2：Si薄膜测量特性
*3：测量6 μm厚硅薄膜时的标准偏差
*4：取决于所使用的光学系统或物镜的放大率
*5：在标准量具的测量保证范围内
*6：连续数据采集时间不包括分析时间
热线电话
在线咨询
长按识别二维码查看信息详情