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入驻年限第7年
仪器分类: | 飞行时间 |
产品介绍:
一束高能初级离子轰击样品表面激发出原子和分子碎片
只一小部分激发出的粒子以离子的状态离开表面,被质量分析器探测出来
对于无机材料, 原子离子百分含量> 10%
Excitation Process激发过程
离子产生和表面灵敏度
一束高能初级离子轰击样品表面激发出原子和分子碎片
只一小部分激发出的粒子以离子的状态离开表面,被质量分析器探测出来
对于无机材料, 原子离子百分含量> 10%
对于有机材料,原子和分子离子碎片百分含量可以从 .001% 到 1%
只从表面2个分子层激发出的粒子可以以离子态离开表面
TOF-SIMS 主要功能
采集离子质谱图用于表面元素(原子离子),同位素,分子化学结构(通过分子离子碎片)的表征
点或面扫描(2D成像)得到成分分布像,观察不同成分在同一条线或面的分布情况
深度剖析和3D成像可以分析不同的膜层结构和成分深度分布信息:多层膜层结构表征,成分掺杂深度,扩散,吸附等表征
应用实例:
所有元素探测– H, He, Li, etc. (H~U)
同位素的探测 – 2H, 3H, He, Li, 18O, 13C, etc.
详细的分子信息 – 有机和无机
分子成像
平行探测–图像中每一像素点都有对应的全质谱
表面灵敏 – 样品表面 1-3 个原子 /分子层
痕量分析灵敏度高 – 0.1 到 1 ppm 原子浓度
快速数据采集 – 通常 1 – 15 分钟 (表面 IMS)
高空间分辨率
< 70 nm (成像模式下)
< 0.5 µm (保持较好质量分辨率下)
表面物理形貌信息
离子击发出的 SEI (二次电子像) < 60 nm
大的立体接收角 ~ 180o
可分析所有材料 – 导体,半导体和绝缘材料
技术参数: