IM3570日置阻抗分析仪IM9201日置测试夹具操作使用
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IM3570阻抗分析仪新产品的特点不同测量条件下，1台进行高速测量
测量电容等零部件时，有时在不同条件下（频率、电平）测量多种测量项目，1条生产线中需要多台测量仪器。IM3570可再不同测量条件下进行高速连续测量，1台仪器即可满足所有要求。检查速度提高了2倍（跟以往型号相比）
和HIOKI的以往型号（3532-50）相比，大大缩短了测量时间。LCR模式下，以往机型一般需要5ms的测量时间，而IM3570的检查速度提高了2倍。需要全数检查电子零部件的生产线中，IM3570发挥了作用。测量的反复精度提高了1位（※1mΩ，100次测量时）
功能性高分子电容在推进低ESR化的同时，要求正确测量多个mΩ。IM3570在测量低阻抗时的精度比以往机型提高了1位，因此为用户提供稳定测量。广范围的测量频率
IM3570可在DC和4Hz～5Hz的范围内设置5位分辨率的频带（1kHz以下为0.01Hz分辨率）。可在接近共振频率的测量和工作条件的状态下进行测量和评价。15种测量参数
可测量Z、Y等15种参数，并将需要的参数读取至计算机中。具备防止误操作的接触检查功能
装载了4端子测量、2端子测量的接触检查功能。防止在测量电极不接触被测物的状态下测量的情况，因此可以避免出现未检查的产品出厂。广范围的测量电压/电流
外加一般的开路信号发生，可在恒压/恒流模式下进行考虑到电压/电流依存性的测量。可设置广范围的、5mV~5V/10μA~50mA（~1MHz）以下的测量信号电平。8.测试线可延长至4m
4端子的构造可降低测试线的影响，测试线长达4m仍可保证精度。从而便于自动设备的配线。IM3570日置阻抗分析仪IM9201日置测试夹具操作使用IM3570阻抗分析仪的主要参数测量模式LCR模式：单一条件下测量
分析仪模式：
根据测量频率、测量电平进行扫描
（测量点：1~801，扫描方法：一般扫描/分区扫描，显示：列表显示/图表显示）
连续测量模式：
连续测量保存的条件（Z多32个）测量参数Z、Y、θ、Rs（ESR）、Rp、Rdc（直流电阻）、X、G、B、Cs、Cp、Ls、Lp、D（tanδ）、Q测量量程100mΩ~100MΩ，12档量程（所有参数都根据Z来确定）基本精度Z：±0.08%rdg.θ：±0.05°测量频率4Hz~5MHz（10mHz~100Hz步进）测量信号电平普通模式：
V模式、CV模式：5mV~5Vrms（1MHz以下），
10mV~1Vrms（1MHz~5MHz），1mVrms步进
CC模式：10μA~50mArms（1MHz以下）
10μA~10mArms（1MHz~5MHz），10μArms步进
低阻抗高精度模式：
V模式、CV模式：5mV~1Vrms（100kHz以下），
1mVrms步进
CC模式：10μA~100mArms（100kHz以下的100mΩ和1Ω量程），
10μArms步进输出阻抗普通模式：100Ω
低阻抗高精度模式：10Ω显示彩色TFT5.7英寸，可设置显示开或关显示位数设置可设置3~7位的显示位数，初始值为6位测量时间0.5ms（100kHz、FAST、显示关，代表值）测量速度FAST/MED/SLOW/SLOW2DC偏压测量普通模式：DC0V~2.50V（10mV步进）
低阻抗高精度模式：DC0V~1.00V（10mV步进）直流电阻测量普通模式：测量信号电平
DC100mV~2.5V（10mV步进）
低阻抗高精度模式：测量信号电平
DC100mV~1.00V（10mV步进）比较器LCR模式：第1、第3项目的Hi/IN/Lo
分析模式：
区域判断（各点的Hi/IN/Lo）、
峰值判断（极大、极小的频率和值的Hi/IN/Lo）存储功能主机可保存32000个数据接口EXTI/O（handler）
RS-232C
GP-IB
USB（Hi-Speed/Full-Speed）
U盘
LAN（10BASE-T/100BASE-TX）电源AC90~264V，50/60Hz，Zda150VA体积和质量约330W×119H×307Dmm，约5.8kgIM3570日置阻抗分析仪IM9201日置测试夹具操作使用日置HIOKI元器件测量仪器SMD测试治具IM9201基本参数日置HIOKI元器件测量仪器SMD测试治具IM9201可用频率范围DC～3GHz可测样品尺寸0603,1005,1608,2012,3216,3225(JIS单位mm,相当于EIA0201～EIA1210尺寸)电极结构底部电极日置HIOKI元器件测量仪器SMD测试治具IM9201Zda输入电压±42Vpeak(AC+DC)适用机型IM7580,IM7580A,IM7581,IM7583,IM7585,IM7587※
※测试频率高达3GHz，近日发售追加误差阻抗：±Ze[%]
相位：±0.58×Ze[°]
Ze=Ae+(Zse/Zx+Yoe×Zx)×100
Zx:阻抗测量值[Ω]
Ae：4×f2[%]
Zse:(100+500×f)/1000[Ω]
Yoe:(10+100×f)/1000000[S]
f[GHz]
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2005-01-31
