Horizontal bridgman grown gallium arsenide single crystal and cutting wafer
标准状态:
现行ICS号:
29.045半导体材料发布日期:
2007-12-18中标分类号:
H83化合物半导体材料实施日期:
2008-02-01出版语种:
英文标准简介:
本标准规定了水平法砷化镓单晶、单晶锭及切割片的要求、试验方法及检验规则等。标准标号:
20031803-T-610起草人:
武壮文、王继荣、张海涛、于洪国起草单位:
北京有色金属研究总院归口单位:
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会提出部门:
中国有色金属工业协会发布部门:
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会施行日期:2007-04-01
施行日期:
施行日期:1966-03-01
施行日期:1966-05-01
施行日期:
施行日期:2010-01-31
施行日期:2010-05-01
施行日期:2010-04-01
施行日期:2008-03-01
施行日期: