GB/T 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

标准状态：
现行
ICS号：
29.045半导体材料
发布日期：
2009-10-30
中标分类号：
H83化合物半导体材料
实施日期：
2010-06-01
出版语种：
英文
标准简介：
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及单晶切割片的产品分类、技术要求和试验方法等。本标准适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。
标准标号：
20065636-T-469
起草人：
王炎、何兰英、张梅
起草单位：
峨嵋半导体材料厂
归口单位：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
提出部门：
全国半导体设备和材料标准化技术委员会
发布部门：
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会