膜去溶剂化进样ICPMS法直接测定电子级高纯过氧化氢中痕

摘要：用ARIDUS膜去溶剂化进样器，在ICPMS的标准状态(STD)和冷焰状态(PS)测定电子级高纯过氧化氢中的34个痕量金属杂质，用铟作内标可补偿基效应，方法检出限为0．1～70ng／L，加标回收率为9O ～l1O ，长时间相对标准偏差(RSD)小于5 ，ICPMS测定结果与ICP光谱测定结果基本一致，ICPMS提高了分析的准确性和工作效率关键词：电子级高纯过氧化氢；ICPMS；痕量金属杂质；膜去溶剂化进样 莱伯泰科Aridus II膜去溶雾化系统