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冷热冲击试验箱检测半导体器件试验方案

（一）试验目的
评估半导体芯片的电气性能、可靠性和封装材料的适应性。


（二）试验设备


  1. 冷热冲击箱

  2. 半导体参数测试仪

  3. 电子显微镜


（三）试验样品
若干半导体芯片样品


（四）试验步骤


  1. 样品预处理

    • 对半导体芯片进行初始的电气性能参数测量，如电阻、电容、漏电流等，并记录。

    • 检查芯片外观，无明显缺陷。

  2. 冷热冲击试验

    • 将样品放入冷热冲击箱，设置温度变化范围为 -55℃ 至 125℃，高温和低温分别保持 1 小时，转换时间 15 秒，循环冲击 500 次。

    • 在试验过程中，定期监测芯片的电气性能。

  3. 阶段性检测

    • 每 100 次循环后，取出样品，在常温环境下静置 1 小时，然后进行电气性能检测和外观检查。

  4. 检测

    • 完成全部循环后，对样品进行全面的电气性能检测和封装材料的微观结构观察。


（五）数据记录与分析


  1. 记录每次检测的样品编号、试验时间、温度条件、各项电气性能参数等数据。

  2. 分析电气性能参数的变化，观察封装材料是否有开裂、分层等现象，评估芯片的可靠性和封装适应性。


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