局限半导体结构研究

基于半导体材料的量子光学设计在量子密码学以及量子通讯应用及研究中发挥着越来越重要的作用。在本应用文档中，我们将介绍砷化镓的激子极化激元以及砷化铟量子点的光谱学测量。所有的实验都是在4~60K的制冷温度下进行的。
 

相对于光之间直接作用，电控制光学器件显得非常的简单。因此，在量子光学中，依然通过把光变为电信号或者将电信号变为光来研究其量子特性。
 

现在通常认为量子的发射极是基于激子极化激元或者半导体量子点的。在第 一种情况下，一个窄量子阱与周围的空穴之间的相互作用产生光的奇特态，并且发射的光子可能是纠缠的。在第二种情况下，一个真正的，按需纠缠的光子源是可以实现的。我们采用光谱测量的方法，来得到相关的物理参数。
 

在实验中采用脉冲钛宝石激光器，空间光调制器，5K低温制冷机，收集光路以及Andor SR750光谱仪以及 Andor DU934 深耗尽型CCD。在极化实验中，为了能够测试内部空穴的特性，采用光纤收集反射或者透射的光。而在量子点的实验中，收集的是量子点的发光。通过光纤，我们可以选择不同的空间点进行收集。