CMP 浆体粒径分析：SPOS 与费朗霍夫

半导体行业正在朝着更小的线宽和更多的层的方向发展。迈向这种高密度芯片技术的最重要的工艺考虑之一是对平面化步骤的更复杂的控制。抛光步骤受胶体分散金属氧化物浆料（CMP，化学机械平面化的简称）的影响，主要是二氧化硅和氧化铝，平均直径在10nm-200nm范围。这些浆料被用于放置晶圆片的旋转抛光垫上。在过去，激光衍射最常用来表征这些浆料的粒度分布。人们一直都知道，这些浆料中含有的体积百分比小于1 微米的颗粒。这些颗粒会在晶圆片表面造成划伤和其他缺陷。本文将证明，由于测量的性质，激光衍射法不足以定量测定不合规格的浆料颗粒的浓度。另一方面，单粒子光学粒度（SPOS）可对颗粒进行计数，将被证明是表征CMP 浆料的一个很好的工具。