CMP 浆体粒径分析：SPOS 与费朗霍夫

半导体行业正在朝着更小的线宽和更多的层的方向发展。迈向这种高密度芯片技术的Z重要的工艺考虑之一是对平面化步骤的更复杂的控制。抛光步骤受胶体分散金属氧化物浆料（CMP，化学机械平面化的简称）的影响，主要是二氧化硅和氧化铝，平均直径在10nm-200nm范围。这些浆料被用于放置晶圆片的旋转抛光垫上。在过去，激光衍射Z常用来表征这些浆料的粒度分布。人们一直都知道，这些浆料中含有的体积百分比小于1 微米的颗粒。这些颗粒会在晶圆片表面造成划伤和其他缺陷。本文将证明，由于测量的性质，激光衍射法不足以定量测定不合规格的浆料颗粒的浓度。另一方面，单粒子光学粒度（SPOS）可对颗粒进行计数，将被证明是表征CMP 浆料的一个很好的工具。