深圳市华科智源科技有限公司
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结电容测试仪



可测参数: Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试

可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等 

测试频率:1MHz  

测试电压范围:Vds 0~1200V,Vgs ±25V

信号电压范围:1mV~1000mV 

Rg 范围:≤300Ω

测试精度:0.01pf 


华科智源栅极电阻/栅极电容测试仪特点: 

1,测试速度快。 

2,可点测和扫描曲线。

3,测试精度高,测试结果稳定。

4,可随时保存数据和波形,可直接生成规格书用的图片或 CSV 描点文件。


华科智源结电容测试仪,可以测试MOS管,IGBT,SIC器件的栅极电阻和栅极电容,包含Ciss 输入电容 Coss 输出电容 Crss 反向电容,Rg等参数,可以单点测试,也可以扫描测试曲线;

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