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二手 FEI Helios PFIB 聚焦离子束扫描电子显微镜


高吞吐量多尺度材料表征

Thermo Fisher ScientificTM Helios PFIB（原FEI） 双束电镜在高吞吐量样品 处理和大样品体积3D材料表征方面，是世界上先进的双束电镜平 台。Helios PFIB系统结合了创新性的Helios ElstarTM 电子镜筒和高性能 的Vion氙等离子体离子镜筒，Helios ElstarTM 电子镜筒利用了UC技术 可实现zui高分辨率和zui高衬度成像，而Vion氙等离子体离子镜筒可实现zui快速和zui精确的尺度样品加工。


无论是竖直或倾斜放置的样品，还是截面样品，系统均可确保快速获 取精确、清晰的信息。附加的透镜下探测器和电子束减速模式确保了 所有信号都被采集到且无信息遗漏。结果获取快速、准确且可重复，这 归功于Elstar镜筒先进的自动合轴、恒定功率透镜(更高的热稳定性) 和静电扫描(更高的线性偏转和速度)等独特技术。


Vion PFIB具备高电子束密度，尤其在高电子束流下，确保了高吞吐量 磨削性能。与传统镓离子束系统相比，PFIB的离子束流可超过1μA，离 子磨削速度大幅度提高，可将磨削时间从几个小时缩短到几分钟。结 合先进的气体输送系统，如Thermo Fisher Scientific MultiChem及zui新开发的束化学物质，Vion PFIB可以针对特定材料在更高精度和控制 下实现更高吞吐量的离子磨削。


PFIB系统不仅仅可以进行大尺度截面磨削，搭配Thermo Fisher Scientific 原位制样EasyLift纳米操纵系统，其应用空间更广，可以更 快、更可靠地制备S / TEM样品。FIB能量低至2keV，确保制备的薄片质 量 zui 高 ，而 E a s y L i f t 全 面 集 成 在 用 户 界 面 中 ，所 有 用 户 都 可 以 快 速 、轻 松地提取大尺寸薄片。


规格参数

  • 电子源
    — 肖特基场发射电子枪，灯丝寿命超过1年
    — VS-DBS: 安装于透镜的低真空背散射探测器

  • 离子源
    — 电感耦合Xe +等离子体(ICP)，> 4000小时 — PFIB离子束流1.5pA至1.3μA 至 400 nA

  • 着陆电压
    — 0 V - 30 kV SEM — 2 kV - 30 kV PFIB

  • SEM分辨率(zui佳工作距离，UC*) — 15 keV下1.0 nm
    — 2 keV下1.0 nm
    — 1 keV下1.1 nm

    — 200 eV下1.0 nm(电子束减速模式)

    — 束重合点工作距离

  • SEM分辨率(zui佳工作距离)

    — 15 keV下1.0 nm

    — 1 keV下1.6 nm

  • 离子源离子束分辨率(束重合点)

    — 15 keV下1.0 nm

    — 30 keV下 <25 nm (采用shou选统计方法)

  • EDS空间分辨率

    — 15 keV下1.0 nm
    — <30 nm (在打薄样品上)


样品台

  • 高精度五轴驱动样品台，XYR轴压电陶瓷驱动

  • XY行程 150mm

  • Z行程10mm

  • 旋转n x 360°(无限制)

  • 倾斜-10°- +60°

  • 倾斜精度0.1°(50°- 54°)

  • XY重复精度 1μm

  • zui大样品质量@ 0°倾斜 500g(包括样品托)

  • zui大样品尺寸:150mm直径，360度旋转(有限旋转情况下可测试更

    大样品)

  • 优中心:样品台优中心旋转和倾斜

    关键选项


MultiChem化学选项
— 磨削/再沉积:介电蚀刻，聚酰亚胺蚀刻，Dx
— 沉积:导体沉积 – 铂、绝缘体沉积 - IDEP2、碳沉积 GIS化学选项
— 磨削/再沉积:介电蚀刻，聚酰亚胺蚀刻，Dx
— 沉积:导体沉积 – 铂、绝缘体沉积 – IDEP3、SEM碳沉积 — 硅挖槽选项，带同轴喷嘴用于高速挖槽和制样


软件

• Auto Slice&ViewTM
• EBS3TM、EDS3TM
• Synopsys Camelot CAD Navigation


硬件

• EBSD 分析*

 • EDX 分析*

 • NavCam+ 

• 红外显微镜 

• 块体硅挖槽






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