离子研磨仪 IM4000II
日立离子研磨仪标准机型IM4000Ⅱ能够进行截面研磨和平面研磨。
还可通过低温控制及真空转移等各种选配功能，针对不同样品进行截面研磨。
高效率的截面研磨
IM4000II配备截面研磨能力达到500 µm/h*1以上的高效率离子枪。因此，即使是硬质材料，也可以高效地制备出截面样品。
*1在加速电压6 kV下，将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的zui大深度
样品：Si片（2 mm厚）
加速电压：6.0 kV
摆动角度：±30°
研磨时间：1小时
截面研磨时如果摆动的角度发生变化，加工的宽度和深度也会发生变化。
下图为Si片在摆动角度为±15°下进行截面研磨后的结果。除摆动角度以外，其他条件与上述加工条件一致。通过与上面结果进行对比后，可发现加工的深度变深。对于观察目标位于深处的样品来说，能够对样品进行更快速的截面研磨。
样品：Si片（2 mm厚）
加速电压：6.0 kV
摆动角度：±15°
研磨时间：1小时
复合型研磨仪
即使是由不同硬度以及研磨速度材质所构成的复合材料，也可以通过IM4000Ⅱ制备出平滑的研磨面
优化加工条件，降低因离子束所致样品的损伤
可装载zui大20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品
金属以及复合材料、高分子材料等样品的截面制备
含有裂缝和空隙等特定位置的样品截面制备
多层样品的截面制备以及对样品EBSD分析的前处理
直径约为5mm范围内的均匀加工
应用领域广泛
zui大可装载直径50 mm × 高度25 mm的样品
可选择旋转和摆动（±60度，±90度的摆动）2种加工方法
平面研磨的主要用途
去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变
去除样品表层部分
消除因FIB加工所致的损伤层
选配项
低温控制功能*1
将液氮装入杜瓦罐中，以此作为冷却源间接冷却样品。IM4000Ⅱ配有温度调节控制功能，以防止树脂和橡胶样品过冷。
真空转移功能
离子研磨加工后的样品可以在不接触空气的状态下直接转移到SEM*1、AFM*2上。真空转移功能与低温控制功能可同时使用。（平面研磨真空转移功能不适用低温控制功能）
*1仅支持带有真空转移交换仓的日立FE-SEM
*2仅支持真空型日立AFM。
观察加工过程的体式显微镜
右图为用于观察样品加工过程的体式显微镜。搭载了CCD相机的三目型显微镜能够在显示器上进行观察。也可配置双目型体式显微镜。
规格
| 主要内容 | |
|---|---|
| 使用气体 | 氩气 |
| 氩气流量控制方式 | 质量流量控制 |
| 加速电压 | 0.0 ～ 6.0 kV |
| 尺寸 | 616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
| 重量 | 主机53 kg＋机械泵30 kg |
| 截面研磨 | |
| zui快研磨速度（Si材料） | 500 µm/h*1以上 |
| zui大样品尺寸 | 20(W）×12(D）×7（H）mm |
| 样品移动范围 | X±7 mm、Y 0 ～+3 mm |
| 离子束间歇加工功能 开启/关闭 时间设定范围 | 1秒 ～ 59分59秒 |
| 摆动角度 | ±15°、±30°、±40° |
| 广域截面研磨功能 | - |
| 平面研磨 | |
| zui大加工范围 | φ32 mm |
| zui大样品尺寸 | Φ50 X 25 (H) mm |
| 样品移动范围 | X 0～＋5 mm |
| 离子束间歇加工功能 开启/关闭 时间设定范围 | 1秒 ～ 59分59秒 |
| 旋转速度 | 1 rpm、25 rpm |
| 摆动角度 | ±60°、± 90° |
| 倾斜角度 | 0 ～ 90° |
*1将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度。
选配项
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 低温控制功能*2 | 通过液氮间接冷却样品，温度设定范围：0°C ～ －100°C |
| 超硬遮挡板 | 使用时间约为标准遮挡板的2倍（不含钴） |
| 加工过程观察用显微镜 | 放大倍数 15× ～ 100× 双目型、三目型（可装CCD） |
*2需与主机同时订购。冷却温度控制功能在使用时，部分功能可能使用有限。
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