技术参数配置:
1.靶: 数量6个,大小1-2英寸,被激光照射时可自动旋转,靶的选择可通过步进电机控制;
2.基板:采用适合于氧气环境铂金加热片,大小2英寸,加热温度可达1200摄氏度,温度差<3%,加热时基板可旋转,工作环境最大压力是300mtorr;
3.基板加热电源,最高到1200度;
4.超高真空成膜室腔体:不锈钢sus304材质,内表面电解抛光,本底真空度<5e-7 Torr;
5.样品传输室:不锈钢sus304材质,内表面电解抛光,本底真空度<5e-5 pa;
6.排气系统:分子泵和干式机械泵;
7.阀门: 采用超高真空挡板阀;
8.真空检测:真空计;
9.气路两套: 采用气体流量计控制;
10.薄膜生长监控系统: 采用扫描型差分RHEED;
11.监控软件系统:基板温度的监控和设定,基板和靶的旋转,靶的更换等;
12.各种电流导入及测温端子;
13.其它各种构造:各种超高真空位移台,磁力传输杆,超高真空法兰,超高真空密封垫圈,超高真空用波纹管等;
深圳市科时达电子科技有限公司
仪器网(yiqi.com)--仪器行业网络宣传传媒