高温离子氮化炉

   脉冲等离子PulsPlasma®系统包括真空炉室，辅助加热系统，保温系统，温度测量系统，钟罩提升系统，工艺气体循环系统，冷却系统，工艺控制系统以及离子发生器系统。这其中的离子发生器系统是普发拓普公司的设计，可以完全避免打弧现象的发生而且节能效果明显。炉体可以是钟罩式设计，也可以是井式炉或卧式设计。根据设备的大小，加热控制区至少配有三组独立控制升温和降温的加热器，通过这些独立控制的加热器获得较好的均温性。

工艺特点：

• 通过热壁技术实现良好的均温性

• 工艺气体消耗少，没有污染气体

• 灵活的渗氮温度，温度范围 300 ℃ - 800 ℃

• 白亮层可控

• 可处理不锈钢

• 可处理烧结钢

• 可以在同一炉工艺集成脉冲离子氮化-氧化工艺

 设备特点：

• 不产生打弧，工件表面无破坏

• 加热和控制系统，至少3区独立的加热和冷却区域

• 控制区温度均匀分布

• PulsPlasma®电源，电压和电流近乎方波，几微妙内获得

• 设定的全部脉冲电流，主动抑制打弧监测（开关时间< 0.1 µs）

• 电源可升级至5年质保

• 可在低温下对工件表面进行等离子清洗

• 设备布局紧凑，节省空间，所有部件集成在一个基础框架内

• 模块化设计，提供单室型、交替型和双室型设备

• 特殊航天保温材料，热容量低，功率损耗低，节省重量

•