德国Allresist 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）E-beam resist

类型

型号

特性

正胶

SX AR-P 6200

NEW!

超高分辨率电子束正胶，通过简单的工艺即可得到10nm甚至更小的结构。超高深宽比（20:1）、超高对比度（>15）。良好的耐干法刻蚀性能，是传统PMMA胶的2倍。

完全可以取代ZEP胶，经济实惠，并且采购简单，包装规格多样化。

AR-P617

PMMA/MA共聚物

适合目前各种应用需要的电子束光刻胶。灵敏度高，是普通PMMA胶的3~ 4倍，对比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通过双层工艺实现lift-off工艺。

PMMA

PMMA（polymethyl methacrylate）是电子束曝光工艺中最常用的正性光刻胶，是由单体甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）经聚合反应而成。

PMMA胶最主要的特点是高分辨率、高对比度、低灵敏度。

PMMA胶种类齐全，不同的系列中包含了各种分子量（50K, 200K, 600K, 950K），各种溶剂（氯苯，乳酸乙酯，苯甲醚）以及各种固含量的PMMA胶，以满足各类电子束光刻的工艺要求。

PMMA胶可用于单层或双层电子束曝光、转移碳纳米管或石墨烯、绝缘层等多种工艺。

（注：工厂可根据用户的需求，定制所需分子量、固含量的PMMA胶。）

AR-P 6510

AR-P 6510是在PMMA的基础上开发的厚胶。 另外，厂商可以根据客户的具体需求来生产其他分子量的LIGA工艺用胶。主要用于LIGA工艺和X-Ray 曝光工艺。此类光刻胶型号齐全，厚度从10~250μm不等，图形剖面陡直。

负胶

AR-N 7520

AR-N 7500

电子束负胶，高分辨率（30nm），对比度高（> 5），良好的耐等离子刻蚀性能，可以用于混合曝光。灵敏度中等，介于AR-N 7700和PMMA之间。

AR-N 7700

电子束负胶，化学放大胶，高灵敏度，高对比度，良好的耐等离子刻蚀刻蚀性能，可以用于混合曝光。

AR-N 7720

电子束负胶，用于三维曝光工艺。 化学放大胶，高灵敏度，对比度非常小（<1），非常适合制作三维结构；也可以用于衍射光学及全息器件的加工。

X AR-N 7700/30

SX AR-N 7700/37

化学放大负胶，高分辨率，良好的耐等离子刻蚀能力，适合混合曝光。高灵敏度，灵敏度比AR-N 7700更高。

类型

型号

特性

显影液

AR 300-26, -35

紫外光刻胶用 显影液

AR 300-44,-46,-47, -475

紫外/电子束光刻胶用 显影液

AR 600-50,-51,-55,-56

PMMA胶用 显影液

定影液

AR 600-60,-61

电子束光刻胶用 定影液

除胶剂

AR 300-70, -72, -73,600-70

紫外/电子束光刻胶用 除胶剂

稀释剂

AR 600-01…09

PMMA胶 稀释剂

AR 300-12

紫外/电子束光刻胶用 稀释剂

增附剂

AR 300-80, HMDS

紫外/电子束光刻胶用 增附剂