电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术;它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属,使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料,包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…
技术参数:
1. 蒸发室尺寸:24"×24"×21";
2. 极限真空度:≤5×10-7托;
3. 电子枪功率: 6千瓦可调;
4. 蒸发速率:可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率;
5. 可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等;
6. 膜厚度误差 ≤±5%,膜厚均匀性误差 ≤±5% 。
主要特点:
1. 安全简易的软件操作系统,四个不同级别的用户权限(操作、工艺、工程师以及维修保养)较大限度的保证系统的安全。
2. 双腔设计:蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中,使得源材料的更换和晶片的装载过程中ZD限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。
3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。
4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具,可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。
深圳市科时达电子科技有限公司
仪器网(yiqi.com)--仪器行业网络宣传传媒