上海波铭科学仪器有限公司
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SiC MOSFET / IGBT 双脉冲动态测试系统

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测试项目

A. IGBT/SiC MOSFET开关特性

B. 二极管反向恢复特性

C. 短路特性

D. RBSOA,SCSOA,模组运行边界

E. 并联均流特性

F. 微小脉冲

G. 死区与杂感测试

 

系统参数

最高输出电压:2000V/6000V

最大测试电流:10000A 

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