原子层沉积技术以控制薄层厚度,均匀性,保型性而著称,应用于集成电路(IC)行业,它使得电子器件持续微型化成为可能,逐渐成为了微电子器件制造,半导体领域的必要技术。例如用于制备晶体管栅堆垛、刻蚀终止层。
紧凑型原子层沉积系统,系统为全自动的安全互锁设计,并提供了灵活性,可以用于沉积多种薄膜。(可沉积氧的化物: HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O等;氮化物:TiN,Si3N4等;)
应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。带有加热腔壁及屏蔽层,方便腔体的清洁。该系统拥有一个载气舱包含4个50ml的加热源,用于前驱体以及反应物,同时带有N2作为运载气体的快脉冲加热传输阀。
ALD原子层沉积设备特点
·不均匀性低于1%;
·阳极氧化铝腔体;
·小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高质量;
·可支持4英寸的基片;
·支持4路50cc/100cc前驱体源;
·高深宽比结构的保形生长。
技术参数
设备尺寸:800X800X495mm | |
4英寸及以下兼容基片 | |
3D 复杂表面衬底 | |
多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品 | |
样品加热50-260℃,精度±1℃ | |
前驱体及管路:液态、固态、气态,加热温度室温~180℃ | |
标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |
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