第三代半导体材料分析高压电源

武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。

第三代半导体材料分析高压电源简介

高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在D一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。

Z大输出功率：350W，3500V/100mA（不同型号有差异）；

输出电压建立时间典型值：< 5ms；

输出接口：E100:三同轴BNC；E200、E300:KHV（三同轴）；

扫描：支持线性、对数及用户自定义扫描；

通信接口：RS232、以太网；

保护：支持急停；

触发：支持trig  IN及trig out；

尺寸：19英寸2U机箱；

应用领域：

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

更多有关第三代半导体材料分析高压电源详情找普赛斯仪表专员为您解答，普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验必备源表,标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富