盖革模式雪崩光电二极管SAP系列

SAP500系列基于“穿透式”结构，具有出色的量子效率、极低的噪声、暗电流和高增益。它们主要适用于超低光照度的应用。该APD可以在增益高达250或更大的情况下，在常规的线性模式（VRBR）下使用，也可以在“盖革”模式下使用。盖革模式的APD可以被偏置在击穿电压以上（VR>VBR），以实现对单光子的检测。由于量子效率的提升、磁场抗扰性、坚固性、更长的工作寿命、非常好的计时特性和成本的降低，同时该固态探测器能够在非低温下工作、并提供单光子检测能力，使其成为光电倍增管（PMT）Z具吸引力的替代品。

该APD被密封在改良的TO-46封装中，也可以选择封装在装配了一级TEC的TO-37封装中，或装配了两级TEC的TO-8封装中。这使得APD能够用于各种极高要求的应用，包括激光雷达、光谱学、小信号荧光探测和光子计数。