THz-NeaSNOM 太赫兹近场光学显微镜

太赫兹近场光学显微镜 THz-NeaSNOM-30nm光学信号空间分辨率 

太赫兹波段的纳米分辨散射式近场光学显微-谱仪系统：

neaspec公司推出的第三代散射式近场光学显微镜neaSNOM，采用ZG的高阶解调背景压缩技术，有效 提取散射近场信号，在获得10nm空间分辨率的同时保持极高的信噪比，是目前世界上**成熟的s-SNOM产 品。同时其赝外差干涉式探测技术，能够获得对近场信号强度和相位的同步成像。 

由于ZG的全反射式光学聚焦和极好的双光路设计，neaSNOM是目前世界上**一款可以应用于太 赫兹波段的近场光学显微成像和谱仪系统。全新推出的THz-neaSNOM必将成为广大太赫兹科研工作者手中的 神兵利器。

对有机和无机材料同样适用
 。封闭式外罩设计，减少气流干扰。
 。预先校准的近场光路，近一步提高稳定性
 。快速成像，并以10nm空间分辨率鉴别纳米材料
 。同步探测近场光学信号强度、相位并成像
 。可对单层石墨烯，蛋白质有效测量的高敏感度
 。简单明了的光路说明和光源选择指示，培训、操作简便

产品简介：

太赫兹（THz）光源波长较大，一般在300微米左右。由于衍射极限的存在，THz远场测量系统的光学空间分辨率一般被限制在150微米左右。该THz光远场测量结果的准确度经常无法满足对材料科学研究，尤其是需要纳米分辨率的微细尺度材料分布研究（例如半导体芯片中各个组成：源极，漏极，栅极）的实验。THz-NeaSNOM近场光学显微镜的出现为此难题提供了一个很好的解决方案。

德国Neaspec公司与Fraunhofer IPM在Neaspec公司NeaSNOM近场光学显微镜的基础上，已经成功研发了一套易用使用且THz系统的空间分辨率达到30nm的实验设备。

THz-NeaSNOM主要技术参数与特点：

  。优于30nm的空间分辨率

  。常用THz光范围：0.1-3THz

  。ZG设计的宽波段抛面镜

  。THz研究可使用商业

散射型近场光学显微镜原理视频介绍：

HNeaSNOM 30nm空间分辨率

ZG的背景信号压制技术：

s-SNOM技术相对于传统SNOM更难实现的主要瓶颈在于，探测器通过自由光路接收散射信号时，其接收到 的光学信号中99%以上是悬臂、样品等区域散射的背景信号，只有不到1%是来自于针尖与样品之间的有效近 场信号。只有成功的将有效的近场信号提取出来，才能获得可靠稳定的近场光学测量结果。

neaSNOM通过其ZG的高阶信号解调技术结合干涉式探测方式，实现了对背景信号的有效压制，获得了对 散射近场信号高度可重复性、高信噪比的可靠测量。

在原理上，利用AFM探针的高频振动，远场光学信息在快速傅里叶变换后仅可获得一阶信号；相对地，近场光学信息可以获得一至四阶不同的信号。通过探测器对高阶信号的采集处理，从而实现从背景信号中对有效 近场信号的剥离。

neaSNOM拥有ZG的heterodyne探测模块，可以利用参考镜进一步对剥离的近场信号进行调制，从而实现了对其强度和相位的同时采集和成像。

更广的波长范围和更高的分辨率
neaSNOM对晶体管的近场成像  

与传统SNOM技术受到分辨率极限的限制，而只能使用可见光或近红外光源不同，neaSNOM将可用光源拓展到中红外和太赫兹波段，并始终保持纳米级分辨率，这决定于neaSNOM的分辨率只与散射源尺寸( AFM 针尖曲率半径）有关这一独特技术特点。上图为，neaSNOM采用波长为10um的中红外光源和118um的太赫 兹光源获得的近场成像结果，其太赫兹成像的分辨率达到40nm，约为激发波长的1/3000，充分证明了 neaSNOM的高分辨能力。

在中红外和太赫兹波段的纳米成像能力，使得neaSNOM具有对纳米结构进行电学，分子、晶格振动等性质 的探测能力，近一步拓展了近场光学技术的应用范围，为更多学科提供了有利的表征手段。

更大的应用拓展空间

得益于的双光路设计，neaSNOM在成像功能基础上具有了更大的应用拓展空间。利用预留的第二套可 用光路，neaSNOM可以实现对拉曼、荧光、光诱导和超快等领域的研究，部分研究成果已经发表在国际著 名期刊。

专业的模块化设计

neaSNOM散射型近场光学显微镜采用模块化设计，将可见光、近红外、中红外照明探测单元，nano-FTIR ,

透射模式等功能进行封闭模块化设计，进一步提高了整体光路的稳定性，以及操作的简便性，便于使用者更 快掌握neaSNOM系统操作，获得高质量近场光学测结果。

用户友好的软件平台

neaSNOM散射型近场光学显微镜的软件平台历经数代开发整合，已完全兼容于windows系统并有着的客户体验。zuixin的软件系统用户友好，操作简单，为防止使用人员的误操作，模块化的设计体系保证了仪器更 高的安全性。