PlasmaPro 80 RIE 牛津等离子体刻蚀机

牛津等离子体刻蚀机PlasmaPro 80 RIE

PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。

。直开式设计允许快速装卸晶圆
。出色的刻蚀控制和速率测定
。出色的晶圆温度均匀性
。晶圆最大可达200mm
。购置成本低
。符合半导体行业 S2 / S8标准

应用:

· III-V族材料刻蚀工艺

· 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

· 类金刚石（DLC）沉积

· 二氧化硅和石英刻蚀

· 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

· 用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀

系统特点

· 小型系统 —— 易于安置

· 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制

· 高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率

· 增加<500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录

· 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度

· 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单

· X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力， 并且可以实现更快更可重复的匹配

· 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快

· 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界

· 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测