中科光电紫外光刻机URE-2000/34AL

 技术参数

.UV光源：进口LED模块

.曝光中心波长：365nm

.光源平行性：≤2º

.曝光分辨率： 0.8μm-1μm 

. 最 大曝光能量密度：>35mW/cm²可调

. 照度不均匀性：≤2.5%(直径150mm范围)

. 曝光面积：160mm*160mm

. 光源寿命：2万小时

. 曝光设定：定时

. 曝光头工作模式：曝光位对准位自动切换（前后移动）

.套准精度：±0.8-1μm

. 可执行曝光模式：真空接触、硬接触、压力接触、接近式，

. 间隙设定方式：数字设定曝光间隙，可自动分离和消除间隙

.样片、掩模版相对移动范围：X: ±5mm， Y: ±5mm， θ=±6º

. 掩模版找平方式：球气浮自动找平

. 可支持掩模版尺寸： 3″×3″、4″×4″、5″×5″、7″×7″各一件

. 标配承片台 ： 2英寸、3英寸、4英寸、6英寸

. 标准配件可兼容样片厚度：0.1-6mm，其他尺寸可定制

. 对准系统：光学+CCD,显微倍数：放大倍率：150倍-720倍可调

. 双物镜可调距离范围：30mm-120mm

. 显微扫描范围：Y:±40mm（数字设定）