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High Purity Germanium高纯锗晶体HPGe
- 品牌:美国ORTEC
- 型号: High Purity Germanium,9N,10N,11N,12N,13N
- 产地:美洲 美国
- 供应商报价:¥100000
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北京泰坤工业设备有限公司
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销售范围售全国
入驻年限第10年
营业执照已审核
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详细介绍
HPGe高纯锗晶体
High Purity Germanium Single Crystal P Type
9N,10N,11N,12N,13N
高纯锗晶体概述:
晶体习性与几何描述 该晶体使用直拉法在晶体(100)方向延伸。圆柱形表面(表面光洁度小于2.5 μm RMS)。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时,其当量直径为:
D ----外形尺寸当量直径
W----锗晶体重量
L-----晶体长度
测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货,我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求,提供定制服务(特殊规格,请参照附件)。
纯度 残留载荷
最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关,请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。
l 同轴探测器
同轴探测器适用于下列公式:
where:
Nmax = 每立方厘米最大杂质含量
VD = 耗尽层电压 = 5000 V
εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm
εr = 相对介电常数(Ge) = 16
q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探测器内孔半径
r2 = 探测器外孔半径
纯度 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀,内径8毫米的内孔半径, 适用公式变为:
D = 晶体外表面
平面探测器
平面探测器(厚度小于2厘米)适用于以下公式:
d=探测器外观尺寸厚度
径向分散载荷子(值)
迁移 霍尔迁移
性能 P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
深能级 P 型晶体 通过深能瞬态测量,Cutot ≤ 4.5*109 cm-3
N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*108 cm-3
wan美晶体 P型晶体 N型晶体
位错密度 ≤10000 ≤5000
星型结构 ≤3 ≤3
镶嵌结构≤5 ≤5
高纯锗HPGe晶体参数说明:高纯锗晶体 产地 法国 物理性质 颜色 银灰色 属性 半导体材料 密度 5.32g/cm3 熔点 937.2℃ 沸点 2830℃ 技术指标 材料均匀度 特级 光洁度 特优 超高纯度 99.99999%-99.99999999999%(7N-13N) 制备方式 锗单晶是以为原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制备的锗单晶体。 产品规格 P、N型按客户要求定制 产品用途 超高纯度,红外器件、γ辐射探测器 P型N型高纯锗 在高纯金属锗中掺入三价元素如、、等,得到p型锗;
在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等,得到n型锗。交货期 90天