3月29日“缺陷检测-半导体材料和器件研发和生产的利器”主题线上会议(蔡司, Park,九峰山实验室联合论坛）

半导体材料与器件的材料特性表征与分析

杨安丽博士(九峰山实验室)

检测中心技术专家

原子力显微镜缺陷检测的相关应用

高彦伟 (Park Systems)

Park资深技术支援工程师

客服化合物半导体的挑战-蔡司显微镜解决方案

黄承梁(蔡司显微镜)

业务拓展经理

报告介绍：

14:00-14:30

演讲题目: 

半导体材料与器件的材料特性表征与分析

  SiC和GaN作为第三代半导体的典型代表，凭其宽禁带、高迁移率和高临界击穿电场等优异的物理特性在功率半导体市场上崭露头角，目前大规模应用面临的Z大挑战是解决产品可靠性问题，而在诸多可靠性问题中尤以器件阈值电压的漂移Z为关键，是近年来众多科研工作关注的焦点，也是评估不同产品技术可靠性水平的核心参数。

  九峰山实验室检测中心建立了全面的材料分析表征平台，可为解决行业痛点提供全方位的诊断和分析。1、GaN HEMT 电学测试和阈值电压漂移问题；2、SiC MOSFET阈值电压漂移问题、界面态问题；   

讲师介绍:

杨安丽博士(九峰山实验室)

  2010年博士毕业于中国科学院半导体研究所。曾任日本电力中央研究所（CRIEPI）研究员，日本国立材料研究机构（NIMS）博士后研究员。研究方向主要围绕半导体材料生长表征、半导体器件工艺研发及同步辐射实验技术在半导体薄膜和纳米材料方面的应用及发展。在APL、JAP、PRB等国际半导体领域著名期刊共发表SCI学术论文40余篇，申请国家发明专利14项。日本国立材料研究机构（NIMS）大会邀请报告一次，SiC领域国际顶级会议（ICSCRM 2017及ECSCRM2018）口头报告2次，并被大会选为亮点。现任九峰山实验室检测中心技术专家。   

14:30-15:00

演讲题目: 

原子力显微镜缺陷检测的相关应用

  半导体生产制造工艺中，缺陷是影响良率的主要因素之一。

  及时地发现和检测缺陷，分析理解缺陷的表现特征和性质，能够对产品的质量控制和增加制成等过程的效率起到关键性作用。所以能够正确和精准地对缺陷进行检测，测量和分析的设备是不可或缺的。

  Park 原子力显微镜及其一系列集成功能设备，能够帮助用户高效精准地检测缺陷，快速有效的表征缺陷，全面可靠的分析缺陷。从而为用户提供缺陷检测-测量-表征-分析-修复的一站式完整性解决方案。

讲师介绍：

高彦伟， Park资深技术支援工程师，从事原子力显微镜售后及应用端客户支援工作近10年，

有着丰富的国内外客户产品demo经验和长期客户端支援的现场经验。目前担任国际客户支援组经理，负责全球Park海外客户的技术支援管理。

15:00-15:30

演讲题目: 

蔡司显微镜在半导体失效分析的应用

  半导体材料、器件结构、制造工艺和封装技术的发展要求高效而精确地完成失效分析任务，并尽可能得到更多的样品信息。蔡司通过包括光学显微镜、X射线显微镜、扫描电镜SEM、纳米探针、聚焦离子束显微镜FIB、飞秒激光-双束电镜在内的显微或失效分析设备，提供硬件和软件综合解决方案，为用户克服晶圆或封装失效分析的痛点。多尺度显微分析联用的技术方案可提高分析效率和成功率。根据逻辑、化合物半导体、封装等不同类型产品的特点开发针对性的电性和物性分析方案。 

讲师介绍

黄承梁(蔡司显微镜)

  蔡司显微镜部门业务拓展经理，负责蔡司显微镜在半导体、显示、电子等行业的业务开发拓展，为客户提供创新解决方案。在美国加州大学尔湾分校（UC Irvine）毕业后，主要从事半导体电性失效分析、物性失效分析和计量学等相关工作，拥有丰富的半导体先进制程的失效分析经验和电镜、FIB、纳米探针系统应用开发及客户支持经验。   

Park Systems

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3月29日

14:00-15:30