PHI TOF-SIMS的发展历程

飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）是采用初级脉冲离子束作用于样品表面，通过离子化过程激发出二次离子，然后利用飞行时间质量分析器精准测量二次离子的质量数，从而获取样品表面的化学组分和分子结构等信息。TOF-SIMS具有超低检出限（ppm）、同时拥有极高质量分辨和高空间分辨能力，可以提供表面离子信息和空间分布信息，以及组分的三维（3D）分布。TOF-SIMS凭借其卓越的性能和广泛的应用领域，已经是高科技产业和科学研究中重要的表面分析工具。

自1969年创立以来，PHI（Physical Electronics）公司始终秉持着对科技前沿的敏锐洞察和不懈追求，专注于开发和制造先进的表面分析仪器，致力于推动表面分析技术的发展。

1988年：TRIFT

* 独特的TRIFT^TM质谱仪：由三级静电能量分析器组成

* 独特的成像机制：扫描+投影

* 深度分析：脉冲+DC离子束

* ²⁸Si⁺质量分辨率M/△M：9,000；PET上的质量分辨率M/△M：8,000

* 功能配件：激光解吸电离

1989年：PHI 7200

* Ga源：高质量分辨率；亚微米束流尺寸（＜0.2 μm）

* Cs源：脉冲、稳定、单同位素、低电压、大电流；分子离子碎片成像最小直径＜2μm

* 反射式飞行时间质量分析器

* 样品加热-冷却系统

* 激光电离表面分析(Surface Analysis by Laser lonization，SALI)

1995年：TRIFT Ⅱ

* SIMS高速采集和成像

* 同步的脉冲SED和SIMS成像

* 高动态范围表面质谱

* 绝缘样品参数调整

* 高质量分辨率参考谱库

2001年：TRIFT Ⅲ

* 背底噪声减少

* 消除高强度基质离子

* 立体接收角可调

* 提供超过200 eV接受窗口的能量补偿

2004年：TRIFT Ⅳ

* 飞行时间二次离子质谱（TOF-SIMS）

* 镓和金离子源升级：质量分辨率提高

* 2种模式可选，既可高质量分辨率（Bunched模式）又可高空间分辨率（Unbunched模式）

* 最大电流增加，检出限更高

2006年：TRIFT Ⅴ nanoTOF

* 性能优越的TRIFT分析仪：三重ESA设计抑制亚稳离子，以降低背底

* 宽立体接收角：对粗糙度大/平整样品均具有高成像灵敏度；能量窗口大，图像景深优越

* 样品台全面升级

* 最先进的离子枪

* 完备的绝缘体分析方案

* C₆₀团簇离子枪：2006年起用于TOF-SIMS深度剖析

* 2008：世界上第一个用于有机深度剖析的气体团簇离子枪(GCIB)

* 双束中和：E-Neut, I-Neut（专利申请于1999年）

2014年：PHI nanoTOF Ⅱ

* TRIFT三重离子束聚焦质量分析器，适用于平面、不平整以及形貌复杂的样品

* MS/MS：世界上第一个用于TOF-SIMS分析的串联质谱，平行成像用于分子结构分析

2021年：PHI nanoTOF3

* 宽带通能量、宽立体接收角

* 全新的全自动传样系统

* Queue Editor实现多样品自动测试

* 获得专利的自动荷电双束中和技术

* 标配离子枪新增FIB(Focused Ion Beam)功能

2023年：PHI nanoTOF3⁺

* Auto-Z：自动调节高度

* Auto-V：自动调整电压（可用于绝缘品）

* 低质量数质量分辨率：≥ 15,000 m/Δm at m/z = ²⁸Si⁺ /晶圆

* 绝缘样品质量分辨率：≥ 15,000 m/Δm at m/z = C₇H₄O⁺ /PET

* 最小脉冲束斑尺寸：50 nm

* 最新一代TRIFT 质量分析器，更好的质量分辨率

* 适用于绝缘材料的无人值守自动化多样品分析

* 独特的离子束技术

* 平行成像MS/MS 功能，助力有机大分子结构分析

* 多功能选配附件