上海载德半导体技术有限公司
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RTP-1200小型快速退火炉(RTA)

RTP-1200小型真空快速退火炉(RTP/RTA)为韩国进口的快速退火炉。

该仪器:尺寸小巧,使用风冷、无须水冷,电流要求不高(3安培),性价比高,使用方便,非常适合科研院所的科研使用。

技术规格:

- 加热方式:红外卤素钨灯,600W;
- 卤素红外灯数量:4支;

- 最快升温速率:100℃/秒;

- 最快降温速率:50秒(1000℃ → 400℃);

- 最高温度:1200℃;

- 温度精度:+/-0.3℃

- 最大样品尺寸:20 x 20mm;

- 退火环境:真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等);

- 真空泵及极限压力:机械泵,10-3Torr水平(选配);

- 电压:220 V,单相;

- 仪器尺寸:400*300*450mm (W*D*H);

- 质量:净重30Kg;

仪器特点:

- 可在真空/不同气氛/空气不同环境下,对样品进行快速热处理;

- 温控精度高;

- 适合高校或研究所科研使用;

- 无须额外的冷却系统;

- 紧凑的台式设计;

- 仪器操作方便,样片装取容易;

- 价格合理,高性价比;

应用领域:

- 快速热退火 (Rapid Thermal Annea领,RTA);

- 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO);

- 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN);

- 硅化 (Silicidation);

- 扩散 (Diffusion);

- 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annea领);

- 离子注入后退火 (Implant Annea领);

- 电极合金化 (Contact Alloying);

- 晶化和致密化 (Crystallization and Densification);

- 合金熔点分析;

- 薄膜沉积;

等等…

13RTP-1200小型快速退火炉(RTA)产品样册

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