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SOI基片（Si+SiO2+Si）

产品名称：

SOI基片（Si+SiO2+Si）

常规尺寸：

dia4"镀膜层：20umSiP/B+2umSiO2+500umSiundoped

技术参数：

国产SOI：膜层厚度可以按照客户需求加工①顶层2um±0.5（5点）,BOX层2um±0.1,P型，总厚度大约621um,平整度LTV<1um②顶层3um±0.5（5点）,BOX层2um±0.1，P型，总厚度大约622um,平整度LTV<1um电阻率ΩNaN：15-25ohmNaN；进口SOI：点击查看：http://mtixtl.com/soiwafersilicononinsulator.aspx

常规尺寸：

SOIφ4″<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀0.2umSi层-1spSOIφ4″<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀1umSi层-1spSOIφ6″<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀1umSi层-1spSOIφ6″-<100>镀0.375umSiO2层镀0.1umSi层-1spSOIφ6″-<100>镀3umSiO2层镀220nmSi层-1sp

备注：

1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装

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