● 可安装用于光发射分析和热分析的两个超高灵敏度相机
● 可安装最多3个波长的激光器和一个EOP探头光源
● 高灵敏度微距镜头和最多10个适合每个探测器灵敏度波长的镜头
● 激光扫描系统
● 高灵敏度近红外相机进行光发射分析
● 高灵敏度中红外相机进行热分析
● 红外-光致阻值改变(IR-OBIRCH)分析
● 激光辐射动态分析
● EO侦测分析
● 纳米透镜进行高分辨率、高灵敏度分析
● 连接到CAD导航
● 连接到LSI测试仪
叠加显示/对比度增强功能
iPHEMOS-MP将发光图像叠加到高分辨率模板图像上来快速定位缺陷点。对比度增强功能可使图像更清晰,细节更多。
显示功能
线性电压 | AC 200 V (50 Hz/60 Hz) |
---|---|
功耗 | Approx. 1400 VA (Max. 3300 VA) |
真空 | Approx. 80 kPa or more |
气压 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
尺寸/重量 | Main unit: 1740 mm (W)×1150 mm (D)×1770 mm (H), Approx. 1400 kg Control rack: 880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg Optional desk: 1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 60 kg |
* iPHEMOS-MP主体机台包括探针台和其他相连接的装置。
Failure Analysis Systems Option: Emmi-X camera C8520-45 series (Near-infrared photo emission camera) [644 KB/PDF]
Failure Analysis Systems Option: InSbHS camera C9985-05 [668 KB/PDF]
Failure Analysis Systems Option: Thermal NanoLens [351 KB/PDF]
Failure Analysis Systems Option: NanoLens-SHR [635 KB/PDF]
C10506-04-16Failure Analysis Systems Option: Electro Optical Probing Unit [406 KB/PDF]
iPHEMOS-MP倒置微光显微镜是一款半导体失效分析系统,通过检测半导体装置缺陷引起的微弱的光发射和热发射来准确定位半导体器件失效的位置。利用其倒置型设计,iPHEMOS-MP对半导体器件的背面进行探测分析,并可结合Tester顺利进行各种类型的分析。iPHEMOS-MP包含一个激光扫描系统,可以获得高分辨率的图像。不同类型的探测器可以用来实现各种分析技术,比如发射分析、热分析、红外-光致阻值改变(IR-OBIRCH)分析等。当结合专用探测器进行背面观察,iPHEMOS-MP支持从wafer到单个芯片的灵活测量。
●iPHEMOS-MP
通过安装300 mm晶圆探针,支持从单个芯片到晶圆的测量。 可通过探针卡进行多针接触,并在PC板上进行样品观察。 通过电缆连接也可以使用LSI测试仪驱动进行动态分析。
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