元素大小(每1列) | 2.5 × 2.5 mm |
像元个数 | 64 |
封装 | Glass epoxy |
封装类型 | Unsealed |
闪烁体类型 | None |
冷却方式 | Non-cooled |
反向电压(最大值) | 10 V |
光谱响应范围 | 400 to 1100 nm |
峰值灵敏度波长(典型值) | 960 nm |
光敏度 (典型值) | 0.61 A/W |
暗电流 (最大值) | 300 pA |
上升时间 (典型值.) | 15 μs |
结电容(典型值) | 60 pF |
注意 | These products are also available as scintillator-mounted products (custom order products) such as CsI (Tl), phosphor sheet, GOS, and CWO. Consult with your nearest Hamamatsu sales office. |
测量条件 | Ta=25 ℃, per element, Photosensitivity: λ=920 nm |
本产品芯片未密封,外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗户的保护,因此与普通产品相比,在操作过程中需要特别严格的保养。
在使用本产品之前,请务必阅读以下“未密封产品/注意事项”。
Unsealed products / Precautions [PDF]
Si photodiodes / Selection guide [6.60 MB/PDF]
Unsealed products / Precautions [340 KB/PDF]
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