滨松光子学商贸(中国)有限公司
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硅光电二极管阵列 S11212-021

详细参数
元素大小(每1列) 1.175 × 2.0 mm
像元个数 16
封装 Glass epoxy
封装类型 Unsealed
闪烁体类型 None
冷却方式 Non-cooled
光谱响应范围 340 to 1100 nm
峰值灵敏度波长(典型值) 920 nm
光敏度 (典型值) 0.61 A/W
暗电流 (最大值) 30 pA
上升时间 (典型值.) 6.5 μs
结电容(典型值) 40 pF
注意 This photodiode array as it is does not function as an X-ray detector. An appropriate scintillator or phosphor sheet 首ld be added at user’s side.
测量条件 Ta=25 ℃, per element, Photosensitivity: λ=λp

注意

本产品芯片未密封,外露。芯片上的电极等部件没有外壳或窗户保护,因此与普通产品相比,在搬运过程中需要特别严格的保护。

使用本产品前,请务必阅读以下“未密封产品/注意事项”。

 

 Unsealed products / Precautions [PDF]

外形尺寸(单位:mm)

相关下载

Si photodiodes / Selection guide [6.60 MB/PDF]

Unsealed products / Precautions [340 KB/PDF]

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