| 元素大小(每1列) | 1.175 × 2.0 mm |
| 像元个数 | 16 |
| 封装 | Glass epoxy |
| 封装类型 | With scintillator |
| 闪烁体类型 | CsI(Tl) |
| 冷却方式 | Non-cooled |
| 暗电流 (最大值) | 30 pA |
| 上升时间 (典型值.) | 6.5 μs |
| 结电容(典型值) | 40 pF |
| 测量条件 | Ta=25 ℃, per element |
Si photodiodes / Selection guide [6.60 MB/PDF]
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